IBM 开发「瞬间」内存，比闪存快 100 倍
- liang - Engadget 中国版这是一群在百岁生日上还能继续为世界带来超级大改变的人啊. 这次的发明，是一种新的相变内存（Phase Change Memory，PCM），这种内存的原理，是运用一种有两种形态 -- 结晶和无定形 -- 的合金做为基础，这种合晶在结晶时导电性良好，但在不定形状态下电阻就变得很高. 因此只要通电改变结晶的型态，就能在这种合晶上储存数据，电阻高的不定形状态是零，而电阻低的结晶状态是一.
IBM 开发「瞬间」内存，比闪存快 100 倍
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durability
| 发表时间：2011-07-02 16:31 | 作者：Andy Yang liang
出处：http://cn.engadget.com
分类: 科技新闻
IBM 的工程师有多神？这是一群在百岁生日上还能继续为世界带来超级大改变的人啊！这次的发明，是一种新的相变内存（Phase Change Memory，PCM），这种内存的原理，是运用一种有两种形态 -- 结晶和无定形 -- 的合金做为基础，这种合晶在结晶时导电性良好，但在不定形状态下电阻就变得很高。因此只要通电改变结晶的型态，就能在这种合晶上储存数据，电阻高的不定形状态是零，而电阻低的结晶状态是一。虽然原理不完全一样，但这种合晶在效果上颇接近忆阻器，相较于现有的闪存，读写速度可以快上 100 倍，而且可以稳定地使用数百万个写入循环（闪存几千次就不行了）。
IBM 的技术还不止如此 -- 他们成功地发展了一套方法，可以可靠地在一块晶体中储存四种不同的电阻「等级」，让本来只能储存一个位，变成可以存两个，大幅提升信息的储存密度，不过就像大部份这种令人兴奋的新科技，IBM 只能给出「五年之内发生典范转移」这样笼统的数字。现在我们眼前既有答应 2013 年推出的忆阻器，又有 2016 年的瞬间内存，只要撑过了 2012 的世界末日，小弟小小的谜片收藏应该就终于有快速而安全的 SSD 可以存了吧？引用来源 | 此文章网址 | 转寄此文章 | 回应
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