每个程序员都应该了解的内存知识

英文原文 What every programmer should know about memory, Part 1，翻译： 开源中国

[ 编辑的话: Ulrich Drepper最近问我们，是不是有兴趣发表一篇他写的内存方面的长文。我们不用看太多就已经知道，LWN的读者们会喜欢这篇文章的。内存的使用常常是软件性能的决定性因子，而如何避免内存瓶颈的好文章却不好找。这篇文章应该会有所帮助。

他的原文很长，超过100页。我们把它分成了7篇，每隔一到两周发表一篇。7篇发完后，Ulrich会把全文发出来 。

对原文重新格式化是个很有挑战性的工作，但愿结果会不错吧。为了便于网上阅读，我们把Ulrich的脚注{放在了文章里}，而互相引用的超链接(和[参考书目])要等到全文出来才能提供。

非常感谢Ultich，感谢他让LWN发表这篇文章，期待大家在不久的将来都能写出内存优化很棒的软件。

1 概述

早期，计算机曾经很简单。它的各种组件，比如CPU、内存、大容量存储和网络接口，都是一起开发的，所以性能差不多。举个例子来说，内存和网络接口提供数据的速度不会比CPU快多少。

这种情况随着计算机构造的固化和各子系统的优化慢慢地发生了改变。其中一些组件的性能开始落后，成为系统的瓶颈。特别是大容量存储和内存子系统，由于代价的原因，它们的发展严重滞后了。

大容量存储的性能问题往往靠软件来改善: 操作系统将常用(且最有可能被用)的数据放在主存中，因为后者的速度要快上几个数量级。或者将缓存加入存储设备中，这样就可以在不修改操作系统的前提下提升性能。{然而，为了在使用缓存时保证数据的完整性，仍然要作出一些修改。}这些内容不在本文的谈论范围之内，就不作赘述了。

而解决内存的瓶颈更为困难，它与大容量存储不同，几乎每种方案都需要对硬件作出修改。目前，这些变更主要有以下这些方式:

• RAM的硬件设计(速度与并发度)
• 内存控制器的设计
• CPU缓存
• 设备的直接内存访问(DMA)

1.1文档结构

这个文档主要视为软件开发者而写的。本文不会涉及太多硬件细节，所以喜欢硬件的读者也许不会觉得有用。但是在我们讨论一些有用的细节之前，我们先要描述足够多的背景。

在这个基础上，本文的第二部分将描述RAM（随机寄存器）。懂得这个部分的内容很好，但是此部分的内容并不是懂得其后内容必须部分。我们会在之后引用不少之前的部分，所以心急的读者可以跳过任何章节来读他们认为有用的部分。

第三部分会谈到不少关于CPU缓存行为模式的内容。我们会列出一些图标，这样你们不至于觉得太枯燥。第三部分对于理解整个文章非常重要。第四部分将简短的描述虚拟内存是怎么被实现的。这也是你们需要理解全文其他部分的背景知识之一。

第五部分会提到许多关于Non Uniform Memory Access (NUMA)系统。

第六部分是本文的中心部分。在这个部分里面，我们将回顾其他许多部分中的信息，并且我们将给阅读本文的 程序员许多在各种情况下的编程建议。如果你真的很心急，那么你可以直接阅读第六部分，并且我们建议你在必要的时候回到之前的章节回顾一下必要的背景知识。

本文的第七部分将介绍一些能够帮助程序员更好的完成任务的工具。即便在彻底理解了某一项技术的情况下，距离彻底理解在非测试环境下的程序还是很遥远的。我们需要借助一些工具。

第八部分，我们将展望一些在未来我们可能认为好用的科技。

1.2 反馈问题

作者会不定期更新本文档。这些更新既包括伴随技术进步而来的更新也包含更改错误。非常欢迎有志于反馈问题的读者发送电子邮件。

1.3 致谢

我首先需要感谢Johnray Fuller尤其是Jonathan Corbet，感谢他们将作者的英语转化成为更为规范的形式。Markus Armbruster提供大量本文中对于问题和缩写有价值的建议。

1.4 关于本文

本文题目对David Goldberg的经典文献《What Every Computer Scientist Should Know About Floating-Point Arithmetic》[goldberg]表示致敬。Goldberg的论文虽然不普及，但是对于任何有志于严格编程的人都会是一个先决条件。

2 商用硬件现状

鉴于目前专业硬件正在逐渐淡出，理解商用硬件的现状变得十分重要。现如今，人们更多的采用水平扩展，也就是说，用大量小型、互联的商用计算机代替巨大、超快(但超贵)的系统。原因在于，快速而廉价的网络硬件已经崛起。那些大型的专用系统仍然有一席之地，但已被商用硬件后来居上。2007年，Red Hat认为，未来构成数据中心的“积木”将会是拥有最多4个插槽的计算机，每个插槽插入一个四核CPU，这些CPU都是超线程的。{超线程使单个处理器核心能同时处理两个以上的任务，只需加入一点点额外硬件}。也就是说，这些数据中心中的标准系统拥有最多64个虚拟处理器。当然可以支持更大的系统，但人们认为4插槽、4核CPU是最佳配置，绝大多数的优化都针对这样的配置。在不同商用计算机之间，也存在着巨大的差异。不过，我们关注在主要的差异上，可以涵盖到超过90%以上的硬件。需要注意的是，这些技术上的细节往往日新月异，变化极快，因此大家在阅读的时候也需要注意本文的写作时间。这么多年来，个人计算机和小型服务器被标准化到了一个芯片组上，它由两部分组成: 北桥和南桥，见图2.1。

图2.1 北桥和南桥组成的结构

CPU通过一条通用总线(前端总线，FSB)连接到北桥。北桥主要包括内存控制器和其它一些组件，内存控制器决定了RAM芯片的类型。不同的类型，包括DRAM、Rambus和SDRAM等等，要求不同的内存控制器。为了连通其它系统设备，北桥需要与南桥通信。南桥又叫I/O桥，通过多条不同总线与设备们通信。目前，比较重要的总线有PCI、PCI Express、SATA和USB总线，除此以外，南桥还支持PATA、IEEE 1394、串行口和并行口等。比较老的系统上有连接北桥的AGP槽。那是由于南北桥间缺乏高速连接而采取的措施。现在的PCI-E都是直接连到南桥的。这种结构有一些需要注意的地方:

• 从某个CPU到另一个CPU的数据需要走它与北桥通信的同一条总线。
• 与RAM的通信需要经过北桥
• RAM只有一个端口。{本文不会介绍多端口RAM，因为商用硬件不采用这种内存，至少程序员无法访问到。这种内存一般在路由器等专用硬件中采用。}
• CPU与南桥设备间的通信需要经过北桥在

上面这种设计中，瓶颈马上出现了。第一个瓶颈与设备对RAM的访问有关。早期，所有设备之间的通信都需要经过CPU，结果严重影响了整个系统的性能。为了解决这个问题，有些设备加入了直接内存访问(DMA)的能力。DMA允许设备在北桥的帮助下，无需CPU的干涉，直接读写RAM。到了今天，所有高性能的设备都可以使用DMA。虽然DMA大大降低了CPU的负担，却占用了北桥的带宽，与CPU形成了争用。

第二个瓶颈来自北桥与RAM间的总线。总线的具体情况与内存的类型有关。在早期的系统上，只有一条总线，因此不能实现并行访问。近期的RAM需要两条独立总线(或者说通道，DDR2就是这么叫的，见图2.8)，可以实现带宽加倍。北桥将内存访问交错地分配到两个通道上。更新的内存技术(如FB-DRAM)甚至加入了更多的通道。由于带宽有限，我们需要以一种使延迟最小化的方式来对内存访问进行调度。我们将会看到，处理器的速度比内存要快得多，需要等待内存。如果有多个超线程核心或CPU同时访问内存，等待时间则会更长。对于DMA也是同样。除了并发以外，访问模式也会极大地影响内存子系统、特别是多通道内存子系统的性能。关于访问模式，可参见2.2节。在一些比较昂贵的系统上，北桥自己不含内存控制器，而是连接到外部的多个内存控制器上(在下例中，共有4个)。

图2.2 拥有外部控制器的北桥

这种架构的好处在于，多条内存总线的存在，使得总带宽也随之增加了。而且也可以支持更多的内存。通过同时访问不同内存区，还可以降低延时。对于像图2.2中这种多处理器直连北桥的设计来说，尤其有效。而这种架构的局限在于北桥的内部带宽，非常巨大(来自Intel)。{出于完整性的考虑，还需要补充一下，这样的内存控制器布局还可以用于其它用途，比如说「内存RAID」，它可以与热插拔技术一起使用。}使用外部内存控制器并不是唯一的办法，另一个最近比较流行的方法是将控制器集成到CPU内部，将内存直连到每个CPU。这种架构的走红归功于基于AMD Opteron处理器的SMP系统。图2.3展示了这种架构。Intel则会从Nehalem处理器开始支持通用系统接口(CSI)，基本上也是类似的思路——集成内存控制器，为每个处理器提供本地内存。

图2.3 集成的内存控制器

通过采用这样的架构，系统里有几个处理器，就可以有几个内存库(memory bank)。比如，在4 CPU的计算机上，不需要一个拥有巨大带宽的复杂北桥，就可以实现4倍的内存带宽。另外，将内存控制器集成到CPU内部还有其它一些优点，这里就不赘述了。同样也有缺点。首先，系统仍然要让所有内存能被所有处理器所访问，导致内存不再是统一的资源(NUMA即得名于此)。处理器能以正常的速度访问本地内存(连接到该处理器的内存)。但它访问其它处理器的内存时，却需要使用处理器之间的互联通道。比如说，CPU 1如果要访问CPU 2的内存，则需要使用它们之间的互联通道。如果它需要访问CPU 4的内存，那么需要跨越两条互联通道。使用互联通道是有代价的。在讨论访问远端内存的代价时，我们用「NUMA因子」这个词。在图2.3中，每个CPU有两个层级: 相邻的CPU，以及两个互联通道外的CPU。在更加复杂的系统中，层级也更多。甚至有些机器有不止一种连接，比如说IBM的x445和SGI的Altix系列。CPU被归入节点，节点内的内存访问时间是一致的，或者只有很小的NUMA因子。而在节点之间的连接代价很大，而且有巨大的NUMA因子。目前，已经有商用的NUMA计算机，而且它们在未来应该会扮演更加重要的角色。人们预计，从2008年底开始，每台SMP机器都会使用NUMA。每个在NUMA上运行的程序都应该认识到NUMA的代价。在第5节中，我们将讨论更多的架构，以及Linux内核为这些程序提供的一些技术。除了本节中所介绍的技术之外，还有其它一些影响RAM性能的因素。它们无法被软件所左右，所以没有放在这里。如果大家有兴趣，可以在第2.1节中看一下。介绍这些技术，仅仅是因为它们能让我们绘制的RAM技术全图更为完整，或者是可能在大家购买计算机时能够提供一些帮助。以下的两节主要介绍一些入门级的硬件知识，同时讨论内存控制器与DRAM芯片间的访问协议。这些知识解释了内存访问的原理，程序员可能会得到一些启发。不过，这部分并不是必读的，心急的读者可以直接跳到第2.2.5节。

2.1 RAM类型

这些年来，出现了许多不同类型的RAM，各有差异，有些甚至有非常巨大的不同。那些很古老的类型已经乏人问津，我们就不仔细研究了。我们主要专注于几类现代RAM，剖开它们的表面，研究一下内核和应用开发人员们可以看到的一些细节。第一个有趣的细节是，为什么在同一台机器中有不同的RAM？或者说得更详细一点，为什么既有静态RAM(SRAM {SRAM还可以表示「同步内存」。})，又有动态RAM(DRAM)。功能相同，前者更快。那么，为什么不全部使用SRAM？答案是，代价。无论在生产还是在使用上，SRAM都比DRAM要贵得多。生产和使用，这两个代价因子都很重要，后者则是越来越重要。为了理解这一点，我们分别看一下SRAM和DRAM一个位的存储的实现过程。在本节的余下部分，我们将讨论RAM实现的底层细节。我们将尽量控制细节的层面，比如，在「逻辑的层面」讨论信号，而不是硬件设计师那种层面，因为那毫无必要。

2.1.1 静态RAM

图2.6 6-T静态RAM

图2.4展示了6晶体管SRAM的一个单元。核心是4个晶体管M1-M4，它们组成两个交叉耦合的反相器。它们有两个稳定的状态，分别代表0和1。只要保持Vdd有电，状态就是稳定的。当需要访问单元的状态时，升起字访问线WL。BL和BL上就可以读取状态。如果需要覆盖状态，先将BL和BL设置为期望的值，然后升起WL。由于外部的驱动强于内部的4个晶体管，所以旧状态会被覆盖。更多详情，可以参考[sramwiki]。为了下文的讨论，需要注意以下问题:一个单元需要6个晶体管。也有采用4个晶体管的SRAM，但有缺陷。维持状态需要恒定的电源。升起WL后立即可以读取状态。信号与其它晶体管控制的信号一样，是直角的(快速在两个状态间变化)。状态稳定，不需要刷新循环。SRAM也有其它形式，不那么费电，但比较慢。由于我们需要的是快速RAM，因此不在关注范围内。这些较慢的SRAM的主要优点在于接口简单，比动态RAM更容易使

2.1.2 动态RAM

动态RAM比静态RAM要简单得多。图2.5展示了一种普通DRAM的结构。它只含有一个晶体管和一个电容器。显然，这种复杂性上的巨大差异意味着功能上的迥异。

图2.5 1-T动态RAM

动态RAM的状态是保持在电容器C中。晶体管M用来控制访问。如果要读取状态，升起访问线AL，这时，可能会有电流流到数据线DL上，也可能没有，取决于电容器是否有电。如果要写入状态，先设置DL，然后升起AL一段时间，直到电容器充电或放电完毕。动态RAM的设计有几个复杂的地方。由于读取状态时需要对电容器放电，所以这一过程不能无限重复，不得不在某个点上对它重新充电。更糟糕的是，为了容纳大量单元(现在一般在单个芯片上容纳10的9次方以上的RAM单元)，电容器的容量必须很小(0.000000000000001法拉以下)。这样，完整充电后大约持有几万个电子。即使电容器的电阻很大(若干兆欧姆)，仍然只需很短的时间就会耗光电荷，称为「泄漏」。这种泄露就是现在的大部分DRAM芯片每隔64ms就必须进行一次刷新的原因。在刷新期间，对于该芯片的访问是不可能的，这甚至会造成半数任务的延宕。（相关内容请察看【highperfdram】一章）这个问题的另一个后果就是无法直接读取芯片单元中的信息，而必须通过信号放大器将0和1两种信号间的电势差增大。最后一个问题在于电容器的冲放电是需要时间的，这就导致了信号放大器读取的信号并不是典型的矩形信号。所以当放大器输出信号的时候就需要一个小小的延宕，相关公式如下

这就意味着需要一些时间（时间长短取决于电容C和电阻R）来对电容进行冲放电。另一个负面作用是，信号放大器的输出电流不能立即就作为信号载体使用。图2.6显示了冲放电的曲线，x轴表示的是单位时间下的R*C

与静态RAM可以即刻读取数据不同的是，当要读取动态RAM的时候，必须花一点时间来等待电容的冲放电完全。这一点点的时间最终限制了DRAM的速度。

当然了，这种读取方式也是有好处的。最大的好处在于缩小了规模。一个动态RAM的尺寸是小于静态RAM的。这种规模的减小不单单建立在动态RAM的简单结构之上，也是由于减少了静态RAM的各个单元独立的供电部分。以上也同时导致了动态RAM模具的简单化。

综上所述，由于不可思议的成本差异，除了一些特殊的硬件（包括路由器什么的）之外，我们的硬件大多是使用DRAM的。这一点深深的影响了咱们这些程序员，后文将会对此进行讨论。在此之前，我们还是先了解下DRAM的更多细节。

2.1.3 DRAM 访问

一个程序选择了一个内存位置使用到了一个虚拟地址。处理器转换这个到物理地址最后将内存控制选择RAM芯片匹配了那个地址。在RAM芯片去选择单个内存单元，部分的物理地址以许多地址行的形式被传递。它单独地去处理来自于内存控制器的内存位置将完全不切实际：4G的RAM将需要 2 ³² 地址行。地址传递DRAM芯片的这种方式首先必须被路由器解析。一个路由器的N多地址行将有2 ^N 输出行。这些输出行能被使用到选择内存单元。使用这个直接方法对于小容量芯片不再是个大问题但如果许多的单元生成这种方法不在适合。一个1G的芯片容量（我反感那些SI前缀，对于我一个 giga-bit将总是 2 ³⁰  而不是 10 ⁹字节）将需要30地址行和2 ³⁰ 选项行。一个路由器的大小及许多的输入行以指数方式递增当速度不被牺牲时。一个30地址行路由器需要一大堆芯片的真实身份另外路由器也就复杂起来了。更重要的是，传递30脉冲在地址行同步要比仅仅传递15脉冲困难的多。较少列能精确布局相同长度或恰当的时机（现代DRAM类型像DDR3能自动调整时序但这个限制能让他什么都能忍受）

图2.7展示了一个很高级别的一个DRAM芯片，DRAM被组织在行和列里。他们能在一行中对奇但DRAM芯片需要一个大的路由器。通过阵列方法设计能被一个路由器和一个半的multiplexer获得{多路复用器（multiplexer）和路由器是一样的，这的multiplexer需要以路由器身份工作当写数据时候。那么从现在开始我们开始讨论其区别.}这在所有方面会是一个大的存储。例如地址linesa _0和a ₁通过行地址选择路由器来选择整个行的芯片的地址列，当读的时候，所有的芯片目录能使其纵列选择路由器可用，依据地址linesa _2和a ₃一个纵列的目录用于数据DRAM芯片的接口类型。这发生了许多次在许多DRAM芯片产生一个总记录数的字节匹配给一个宽范围的数据总线。对于写操作，内存单元的数据新值被放到了数据总线，当使用RAS和CAS方式选中内存单元时，数据是存放在内存单元内的。这是一个相当直观的设计，在现实中——很显然——会复杂得多，对于读，需要规范从发出信号到数据在数据总线上变得可读的时延。电容不会像前面章节里面描述的那样立刻自动放电，从内存单元发出的信号是如此这微弱以至于它需要被放大。对于写，必须规范从数据RAS和CAS操作完成后到数据成功的被写入内存单元的时延（当然，电容不会立刻自动充电和放电）。这些时间常量对于DRAM芯片的性能是至关重要的，我们将在下章讨论它。另一个关于伸缩性的问题是，用30根地址线连接到每一个RAM芯片是行不通的。芯片的针脚是非常珍贵的资源，以至数据必须能并行传输就并行传输（比如：64位为一组）。内存控制器必须有能力解析每一个RAM模块（RAM芯片集合）。如果因为性能的原因要求并发行访问多个RAM模块并且每个RAM模块需要自己独占的30或多个地址线，那么对于8个RAM模块，仅仅是解析地址，内存控制器就需要240+之多的针脚。在很长一段时间里，地址线被复用以解决DRAM芯片的这些次要的可扩展性问题。这意味着地址被转换成两部分。第一部分由地址位a0和a1选择行（如图2.7）。这个选择保持有效直到撤销。然后是第二部分，地址位a2和a3选择列。关键差别在于：只需要两根外部地址线。需要一些很少的线指明RAS和CAS信号有效，但是把地址线的数目减半所付出的代价更小。可是地址复用也带来自身的一些问题。我们将在2.2章中提到。 2.1.4 总结如果这章节的内容有些难以应付，不用担心。纵观这章节的重点，有：

• 为什么不是所有的存储器都是SRAM的原因
• 存储单元需要单独选择来使用
• 地址线数目直接负责存储控制器，主板，DRAM模块和DRAM芯片的成本
• 在读或写操作结果之前需要占用一段时间是可行的

接下来的章节会涉及更多的有关访问DRAM存储器的实际操作的细节。我们不会提到更多有关访问SRAM的具体内容，它通常是直接寻址。这里是由于速度和有限的SRAM存储器的尺寸。SRAM现在应用在CPU的高速缓存和芯片，它们的连接件很小而且完全能在CPU设计师的掌控之下。我们以后会讨论到CPU高速缓存这个主题，但我们所需要知道的是SRAM存储单元是有确定的最大速度，这取决于花在SRAM上的艰难的尝试。这速度与CPU核心相比略慢一到两个数量级。

2.2 DRAM访问细节

在上文介绍DRAM的时候，我们已经看到DRAM芯片为了节约资源，对地址进行了复用。而且，访问DRAM单元是需要一些时间的，因为电容器的放电并不是瞬时的。此外，我们还看到，DRAM需要不停地刷新。在这一节里，我们将把这些因素拼合起来，看看它们是如何决定DRAM的访问过程。我们将主要关注在当前的科技上，不会再去讨论异步DRAM以及它的各种变体。如果对它感兴趣，可以去参考[highperfdram]及[arstechtwo]。我们也不会讨论Rambus DRAM(RDRAM)，虽然它并不过时，但在系统内存领域应用不广。我们将主要介绍同步DRAM(SDRAM)及其后继者双倍速DRAM(DDR)。同步DRAM，顾名思义，是参照一个时间源工作的。由内存控制器提供一个时钟，时钟的频率决定了前端总线(FSB)的速度。FSB是内存控制器提供给DRAM芯片的接口。在我写作本文的时候，FSB已经达到800MHz、1066MHz，甚至1333MHz，并且下一代的1600MHz也已经宣布。但这并不表示时钟频率有这么高。实际上，目前的总线都是双倍或四倍传输的，每个周期传输2次或4次数据。报的越高，卖的越好，所以这些厂商们喜欢把四倍传输的200MHz总线宣传为“有效的”800MHz总线。以今天的SDRAM为例，每次数据传输包含64位，即8字节。所以FSB的传输速率应该是有效总线频率乘于8字节(对于4倍传输200MHz总线而言，传输速率为6.4GB/s)。听起来很高，但要知道这只是峰值速率，实际上无法达到的最高速率。我们将会看到，与RAM模块交流的协议有大量时间是处于非工作状态，不进行数据传输。我们必须对这些非工作时间有所了解，并尽量缩短它们，才能获得最佳的性能。

2.2.1 读访问协议

图2.8: SDRAM读访问的时序

图2.8展示了某个DRAM模块一些连接器上的活动，可分为三个阶段，图上以不同颜色表示。按惯例，时间为从左向右流逝。这里忽略了许多细节，我们只关注时钟频率、RAS与CAS信号、地址总线和数据总线。首先，内存控制器将行地址放在地址总线上，并降低RAS信号，读周期开始。所有信号都在时钟(CLK)的上升沿读取，因此，只要信号在读取的时间点上保持稳定，就算不是标准的方波也没有关系。设置行地址会促使RAM芯片锁住指定的行。CAS信号在tRCD(RAS到CAS时延)个时钟周期后发出。内存控制器将列地址放在地址总线上，降低CAS线。这里我们可以看到，地址的两个组成部分是怎么通过同一条总线传输的。至此，寻址结束，是时候传输数据了。但RAM芯片任然需要一些准备时间，这个时间称为CAS时延(CL)。在图2.8中CL为2。这个值可大可小，它取决于内存控制器、主板和DRAM模块的质量。CL还可能是半周期。假设CL为2.5，那么数据将在蓝色区域内的第一个下降沿准备就绪。既然数据的传输需要这么多的准备工作，仅仅传输一个字显然是太浪费了。因此，DRAM模块允许内存控制指定本次传输多少数据。可以是2、4或8个字。这样，就可以一次填满高速缓存的整条线，而不需要额外的RAS/CAS序列。另外，内存控制器还可以在不重置行选择的前提下发送新的CAS信号。这样，读取或写入连续的地址就可以变得非常快，因为不需要发送RAS信号，也不需要把行置为非激活状态(见下文)。是否要将行保持为“打开”状态是内存控制器判断的事情。让它一直保持打开的话，对真正的应用会有不好的影响(参见[highperfdram])。CAS信号的发送仅与RAM模块的命令速率(Command Rate)有关(常常记为T x，其中 x为1或2，高性能的DRAM模块一般为1，表示在每个周期都可以接收新命令)。在上图中，SDRAM的每个周期输出一个字的数据。这是第一代的SDRAM。而DDR可以在一个周期中输出两个字。这种做法可以减少传输时间，但无法降低时延。DDR2尽管看上去不同，但在本质上也是相同的做法。对于DDR2，不需要再深入介绍了，我们只需要知道DDR2更快、更便宜、更可靠、更节能(参见[ddrtwo])就足够了。

2.2.2 预充电与激活

图2.8并不完整，它只画出了访问DRAM的完整循环的一部分。在发送RAS信号之前，必须先把当前锁住的行置为非激活状态，并对新行进行预充电。在这里，我们主要讨论由于显式发送指令而触发以上行为的情况。协议本身作了一些改进，在某些情况下是可以省略这个步骤的，但预充电带来的时延还是会影响整个操作。

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