主要讲RAM与flash，以及NAND flash与NOR flash的区别。
一、RAM和flash的区别
RAM有两大类，一种称为 静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲cache。另一种称为 动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多， 计算机内存就是DRAM的。
Flash（闪存）也分两类，即 nand 和 nor flash，flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。Flash 的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1的过程，块内的所有字节变为0xFF。
而我们平时接触最多的就是RAM即内存，这里主要也是讲 内存与flash的区别： 易失性，即断电后RAM里面的数据就没了，而fhash里面的数据依然存在。
二、NAND flash与 NOR flash的区别
1）NOR的特点是 芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛，通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中，通电后自动运行。这也是NAND和NOR 最主要的区别。
2）NORflash带有SRAM 接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节；NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息；NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3）NAND的 写入速度比NOR快很多，所以NAND适合用于存储数据。如U盘（NAND）存储数据比较快。
4）NOR的 读速度比NAND稍快一些。
5）NAND的4ms 擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
6）NAND的 擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
7）在NAND闪存中每个块的 最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
8）NAND器件中的 坏块是随机分布的，对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候，经常有发现坏块提示。
9）由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误，即位 反转，NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免，因此，使用NAND Flash的同时，应采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。
10）NANDFlash与NOR Flash相比 容量大。
11）NOR 价格高，呵呵，这才是最重要的。